变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。从以上原理分析可得
温补晶振补偿过程如下：kds
晶振温补晶振是如何实现电路补偿中国电子市场对压电石英
晶振的需求是越来越大了，从而使晶体行业达到膨胀式的发展，尤其是近几年时间国内的晶体厂家不断更新研发，从而导致一些很基本的电子元件慢慢的被淘汰掉了kds
晶振
二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.，就拿我们
晶振行业来说像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉贴片式替代了，已经成为小型化的走向，而且现在的产品越做越精致，要求也越来越高，普通型的晶体已经不能满足市场的需求，所以各大生产厂商已经向石英振荡器的方向发展，而振荡器里面的
温补晶振已经成为了电子各大厂商的争夺对象。图4.直接补偿在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变
晶振上的负载,再次导致频率变化.
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晶振温补晶振内部结构可分为石英晶体振荡回路和温度补偿网络两部分。石英晶体振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定。传统的TCXO是通过采用模拟器件进行补偿，即通过改变振荡回路中的负载电容等模拟器件，使其随温度而变化来补偿晶体谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移（2）间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度－电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）变换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。。这也叫模拟式温度补偿。随着温度补偿技术的发展，很多采用数字化补偿技术的TCXO逐渐开始出现，这种数字化补偿的
温补晶振又叫DTCXO；还有一种用单片机进行补偿的
温补晶振我们称之为MCXO。数字化补偿技术可实现
晶振自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高。并且能够适应更宽的工作温度范围。但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。因此，通常我们使用的都是采用的模拟式间接温度补偿的
温补晶振。
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晶振（2）间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度－电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿kds
晶振2［频域表征］⑴单边相位噪声功率谱密度，
晶振输出信号的频谱中，用偏离载频fHz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝（dB）量，可写作￡（f）单位为dB/Hz。⑵频谱纯度：是量度
晶振内部噪声及杂散谱的尺度。通常用单边噪声功率谱密度来表示。。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）变换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。
