全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。
温补晶振TCXO温度补偿石英晶体振荡器（TCXO）由于具有较高的频率稳定度，作为一种高精度频率源被广泛地应用于通讯系统、雷达导航系统、精密测控系统等
温补晶振TCXO
图4.直接补偿在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变
晶振上的负载,再次导致频率变化.。
温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。其中，温度补偿网络的优化设计对于改善温补晶体振荡器的温频特性，提高振荡器的频率精度具有重要意义。
温补晶振TCXO而
温补晶振的开机特性较好。
恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程
（1）直接补偿型直接补偿型是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英
晶振振子串联而成的。在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单，成本较低，节省印制电路板（PCB）尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时，直接补偿方式并不适宜。。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天
温补晶振TCXO。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的
晶振还没正常工作怎么用？
温补晶振TCXO（2）间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度－电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿
温补晶振TCXO（4）FLUKE45万用表支持串口程控，用于获取TCXO内部三端稳压器的输出电压VDD,为补偿网络分析计算辅助数据。2.2补偿电压自动测试过程根据系统硬件组成与测试目的要求，补偿电压自动测试过程如下：将未装配补偿网络的待测半成品活件装入高低温箱，连接好各仪器设备，打开电源，运行程序，进行参数设置（如工作电压为8V,中心频率为19.2MHz,测试温度范围为-40~+70℃，10℃步进）；点击开始按钮，程序控制高低温箱自动回0号参考工位，开始降温至-40℃，保温30min后，工位进1,根据1号位活件设置调节程控电源工作电压输出，获取振荡器频率，变化E+,使振荡器频率越来越接近中心频率，直到满足要求，记录此时程控电源的E+即为所测补偿电压结果，同时记录振荡器内为温补网络供电的稳压器输出电压VDD;然后高低温箱轮位进1,移向2号位测量，直到所有工位测试完毕；开始升温10℃至-30℃，保温20min,测试记录数据，完成所有工位测试；继续升温，保温、测量，直至全部温度点测试完毕，一个测试过程完成。。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）变换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。
