一般的
恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如
温补晶振一般能达到-7量级，而
恒温晶振可达到-9量级。因此
恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而
温补晶振的开机特性较好。
恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的
晶振还没正常工作怎么用？KDS
晶振当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围KDS
晶振
二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。温补网络补偿电压的测量多为人工手动完成。用小功率直流电压源代替温补网络，改变温度到目标点并保温，然后调节电压源输出，使振荡器输出达到中心频率，此时电压源输出即为该温度点的补偿电压；在各测试温度点重复以上操作，得到一组数据，即V-T曲线数据。这种手动测量方法效率低下，人力成本较高，而且手工记录测试数据，容易产生误差，难以实现精确快速的优质生产。
KDS
晶振3、负载:其他条件保持不变，负载在规问定变化答范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏9）负载变化频率稳定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它条件不变时，由于负载阻抗在规定范围内变化引起的相对于规定的负载条件时的频率偏移。10）电源变化频率稳定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)。4、电压:其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。
KDS
晶振但通过分析与研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小KDS
晶振(1)直接补偿型直接补偿型TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英水
晶振子串联而成的。在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单，成本较低，节省印制电路板(PCB)尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时，直接补偿方式并不适宜。，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10－6以下。但是，
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
