变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。温补网络补偿电压的测量多为人工手动完成。用小功率直流电压源代替温补网络，改变温度到目标点并保温，然后调节电压源输出，使振荡器输出达到中心频率，此时电压源输出即为该温度点的补偿电压；在各测试温度点重复以上操作，得到一组数据，即V-T曲线数据。这种手动测量方法效率低下，人力成本较高，而且手工记录测试数据，容易产生误差，难以实现精确快速的优质生产。
压控晶振温补晶振是如何实现电路补偿中国电子市场对压电石英
晶振的需求是越来越大了，从而使晶体行业达到膨胀式的发展，尤其是近几年时间国内的晶体厂家不断更新研发，从而导致一些很基本的电子元件慢慢的被淘汰掉了
压控晶振
并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过
晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。，就拿我们
晶振行业来说像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉贴片式替代了，已经成为小型化的走向，而且现在的产品越做越精致，要求也越来越高，普通型的晶体已经不能满足市场的需求，所以各大生产厂商已经向石英振荡器的方向发展，而振荡器里面的
温补晶振已经成为了电子各大厂商的争夺对象。二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.
压控晶振随着各种高端智能产品的火爆,电子元器件也从中分到了一杯羹.
晶振是一个典型的例子.
晶振是百分之八十以上电子产品的核心命脉.假如没有
晶振的支持绝大部分电子相关智能产品将会陷入瘫痪然而引起严重后果.随着电子产品的变化
晶振也在不断的更新换代.从以前的大体积到现在的超小超薄型贴片
晶振成为市场主流4）线性度：理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的，但实际上总会有所偏差，这个偏差就是表征理想程度的压控线性度，通常用百分比表示。5）如果系统不能给出稳定的电压信号，或者对输出频率有严格的控制要求时，通常振荡器可以自己给,在整个变化中对于行业的技术来说是一项极大的挑战.由于市场的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌带领整个行业迈向科技前沿,研发新型技术,更新生产设备,制造高精度晶体来满足市场需求.由于高端智能产品的涌现,对于各种元器件的要求也是极高.
温补晶振、
压控晶振逐步被众多高端市场所选用,但是温补、
压控晶振使技术更加提升,成本也是相对增加.作为一名
晶振销售人员,很多采购并不知道在选择
晶振的时候该注意哪一些特性.才能够在使用的过程中让产品变得更加稳定.在此我为大家对于一些重要的特性经行了简述:
压控晶振但通过分析与研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小
压控晶振全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10－6以下。但是，
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
