2）削峰正弦波（ClippingSine）：负载（Load）、输出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分为MOS和TTL两类输出。负载（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降时间（Rise/falltime）、
压控品振VCTCXOTCXO
温补晶振是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器压控品振VCTCXO
。它的温度补偿的原理呢就是通过改变振荡回路中的负载电容，使copy其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂知移。这个想法是补偿网络驱动牵引网络,然后调整振荡器的频率.图3是发生了什么的概述-未补偿的
晶振频率响应温度(红色)就像一个三阶多项式曲线(如果你采用振荡器非线性效果,更像是第五个),所以目标是补偿网络是为了抵消温度对晶体的影响而产生的电压是有效的关于晶体曲线温度轴的镜像.补偿电压显示为蓝色,得到的频率/温度曲线以绿色显示.
压控品振VC
TCXO晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如
晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于
晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于
晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的
晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是
晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。
晶振模块提供与分立
晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。
压控品振VCTCXO二、
温补晶振的发展趋势低功耗、小型化和精度，一直是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，
温补晶振面临不少挑战与困难，具体主要表现为两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小压控品振VCTCXO图3.温度补偿实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.，温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。
