后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源.
KDS
晶振很多刚接触
晶振行业的采购，以为
晶振只有一种分类，并不知道无源
晶振和有源
晶振这么一说。后来一直询问我，什么叫有源
晶振。其实在电子行业中笼统的说就是带有电压的晶体称为有源
晶振也叫振荡器KDS
晶振
，里面除了石英晶体外还有晶体管和阻容元件它不需要DSP的内部振荡，也不需要复杂的配质电路使用一个电容和电感构成PI型滤波网络，然后输出端用一个小阻值的电阻过滤信息就可以了，脚位一般以4个脚6个脚居多，信号质量好比较稳定相对于晶体而言价格比较贵。并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过
晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。
KDS
晶振温补晶振内部结构可分为石英晶体振荡回路和温度补偿网络两部分。石英晶体振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定。传统的TCXO是通过采用模拟器件进行补偿，即通过改变振荡回路中的负载电容等模拟器件，使其随温度而变化来补偿晶体谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。从以上原理分析可得
温补晶振补偿过程如下：。这也叫模拟式温度补偿。随着温度补偿技术的发展，很多采用数字化补偿技术的TCXO逐渐开始出现，这种数字化补偿的
温补晶振又叫DTCXO；还有一种用单片机进行补偿的
温补晶振我们称之为MCXO。数字化补偿技术可实现
晶振自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高。并且能够适应更宽的工作温度范围。但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。因此，通常我们使用的都是采用的模拟式间接温度补偿的
温补晶振。
KDS
晶振但通过分析与研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小KDS
晶振为了能让广大新老客户更好的了解
温补晶振性能，我们把
温补晶振补偿原理做了个简单的测试。
温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。典型的
温补晶振原理示意图。振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定。常用的AT切晶体谐振器的频率温度特性为三次曲线，
温补晶振温度补偿的原理就是通过改变振荡回路中的负载电容，使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10－6以下。但是，
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
