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浅析RAKON晶振工作原理

发布时间:2020-05-28   点击量:753

全球硅振荡器市场它主要受微处理器,开关稳压器时钟,可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比,它们具有更高的可靠性,更小的尺寸,更高的耐用性以及更低的成本,而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术,与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比,它们制造起来更容易,更便宜。

RAKON晶振TCXO温补晶振是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器RAKON晶振

。它的温度补偿的原理呢就是通过改变振荡回路中的负载电容,使copy其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂知移。其实贴片晶振温度补偿晶体振荡器是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温度补偿晶体振荡器中,对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型:

RAKON晶振一、温补晶振温度补偿原理振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定2)削峰正弦波(ClippingSine):负载(Load)、输出幅度(Outputlevel)。3)方波(Square):又分为MOS和TTL两类输出。负载(Load)、占空比(Dutycycle)、上升/下降时间(Rise/falltime)、。常用的AT切晶体谐振器的频率温度特性为三次曲线,温补晶振温度补偿的原理就是通过改变振荡回路中的负载电容,使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。

RAKON晶振但通过分析与研究,由于精度、低功耗和小型化,仍然是温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面,面临不少困难,其中主要的有两点:一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小RAKON晶振频率老化是不可避免的。同时方向可能为正也可能为负。又称为日老化率、长稳等。12)短期频率稳定度(Shorttermstability)振荡器短时间内的频率随机起伏程度。注:以秒为单位,又称为秒基稳定度、秒稳、短稳等。,温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中,由于焊接温度远高于温补晶振的最大允许温度,会使晶体振子的频率发生变化,若不采限局部散热降温措施,难以将温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。但是,温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限,创新的内容和潜力仍较大。
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